特許
J-GLOBAL ID：200903094038029800

プラズマCVDによる反射防止膜の製造方法

発明者：
松浦 和則

松浦 和則 について


出願人/特許権者：
山形日本電気株式会社

山形日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183948
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015506
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、N2Oプラズマを酸化窒化シリコン膜表面に照射する反射防止膜の製造方法を提供し、反射防止膜成膜工程のスループットの向上を目的とする。【解決手段】 半導体装置製造工程で用いられる反射防止膜の製造方法であって、原料ガスとして少なくとも、A)Siを含む原料ガスと、B)N2Oの2種類を含む原料ガスを成膜チャンバに供給し、該原料ガスの流量を一定にするガス安定化工程と、RFパワーを印加し、基板上に酸化窒化シリコン膜をプラズマCVD法により成膜する酸化窒化シリコン膜成膜工程と、1)N2Oガス以外の原料ガスの供給を停止し、かつ2)RFパワーの供給を継続することでN2Oプラズマを発生するN2Oプラズマ照射工程との、それぞれの工程を少なくともこの順序で有する反射防止膜の製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
半導体装置製造工程中のフォトリソグラフィー工程で用いられる反射防止膜の製造方法であって、原料ガスとして少なくとも、A)Si含有ガスとB)N2Oの2種類を含む原料ガスを成膜チャンバに供給し、該原料ガスの流量を一定にするガス安定化工程と、RFパワーを印加し、基板上に酸化窒化シリコン膜をプラズマCVD法により成膜する酸化窒化シリコン膜成膜工程と、1)N2Oガス以外の原料ガスの供給を停止し、かつ2)RFパワーの供給を継続することでN2Oプラズマを発生するN2Oプラズマ照射工程との、それぞれの工程を少なくともこの順序で有する反射防止膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/40 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L 21/318 C ,  C23C 16/40 ,  G03F 7/11 503 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/30 574
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)

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