特許
J-GLOBAL ID：200903094082277030

窒化ガリウム系化合物半導体及び半導体素子

発明者：
小出 典克

小出 典克 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289869
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091252
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】素子特性及び製造効率を向上させること。【解決手段】シリコン基板1の上にはストライプ状又は格子状にAl0.15Ga0.85N層2が形成されている。基板1の露出領域Aと層2の上部領域Bに、GaN 層3を成長させる。このとき、GaN は、層2のAl0.15Ga0.85N 上に3次元的(垂直方向のみならず横方向にも)にエピタキシャル成長する。このように、GaN が横方向にもエピタキシャル成長するので、基板1の露出領域Aである横方向成長領域では転位が大幅に減少した窒化ガリウム系化合物半導体を得ることができる。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体において、基板と、前記基板上に形成され、前記基板の露出部が散在するように、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に形成された第1の窒化ガリウム系化合物半導体と、前記島状態の前記第1の窒化ガリウム系化合物半導体を核として成長させて、前記基板の露出面上に横方向成長した第2の窒化ガリウム系化合物半導体とから成ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  H01L 31/10
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 ,  H01L 31/10 A
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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