一括消去型不揮発性記憶装置とその消去方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：徳若光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-261228
公開番号（公開出願番号）：特開平8-106793
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】低電源電圧により確実に消去動作を行う。【構成】消去単位のメモリセルについて消去基準電圧のもとに一括して消去動作及び消去判定動作を行う消去動作、消去単位について負のしきい値電圧に過消去されたメモリセルの存在するデータ線を検出し、該データ線に設けられたメモリセルに対して書き込み動作に対して絶対値的に小さくされた電位での書き込みを行う第1の書き戻し動作、並びに消去単位について所望の消去状態に比べて小さなしきい値電圧に過消去されたメモリセルを検出し、第1の書き戻し動作と同様な電位で書き込み動作を行う第2の書き戻し動作を順次に行い、消去状態でのしきい値電圧のバラツキを圧縮することにより広い温度保証範囲を確保する。

請求項（抜粋）：

コントロールゲートとフローティングゲートとを備え、書き込み動作によってフローティングゲートに蓄積された電荷をソース側に放出させて消去を行うようにしたメモリセルがマトリックス配置されてなるメモリアレイと、かかるメモリアレイのメモリセルの選択動作を行うアドレス選択回路と、消去モードのときに消去単位のメモリセルを読み出してフローティングゲートに電荷が蓄積されていないメモリセルに対して、書き込み動作及び書き込み判定動作を行うプレライト動作と、上記消去単位のメモリセルについて消去基準電圧のもとに一括して消去動作及び消去判定動作を行う消去動作と、上記消去単位について負のしきい値電圧に過消去されたメモリセルの存在するデータ線を検出し、かかるデータ線に設けられたメモリセルに対して上記書き込み動作に対して絶対値的に小さくされた電位での書き込みを行う第1の書き戻し動作と、上記消去単位について所望の消去状態に比べて小さなしきい値電圧に過消去されたメモリセルを検出し、上記第1の書き戻し動作と同様な電位で書き込み動作を行う第2の書き戻し動作とを順次に行う自動消去回路を備えてなることを特徴とする一括消去型不揮発性記憶装置。

FI (2件)：

G11C 17/00 530 B , G11C 17/00 309 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-000304 出願人：富士通株式会社
不揮発性半導体記憶装置の消去方法、消去機能を備えた不揮発性半導体記憶装置及び書込装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-148169 出願人：ソニー株式会社
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-281670 出願人：三菱電機株式会社

全件表示

前のページに戻る