特許
J-GLOBAL ID：200903094207996262
多層膜の製造方法及び多層膜
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-088519
公開番号（公開出願番号）：特開2006-265681
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】界面拡散層が薄く、かつ界面粗さの小さな膜を得る多層膜の製造方法及び多層膜を提供する。【解決手段】多層膜の製造方法は、薄膜原料を基材とするターゲット14を有し、ターゲット14の表面近傍に磁場の作用でプラズマを集中させてスパッタリングを行うマグネトロン・スパッタ装置1を用い、構成元素、組成、結晶構造の少なくとも一つが相違する層を積層させた多層膜を形成する方法である。ターゲット14の表面に平行な磁場の強度をターゲット14の表面で0.3T(テスラ)以上に設定する磁石装置を用意する。次に、積層方向において互いに隣接するように膜を成膜すると共に、積層方向に互いに隣接する膜の界面に存在する界面拡散層の厚みが、隣接する膜のうち薄い側の層の厚みの50%以下となるように設定する成膜工程を実施する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
薄膜原料を基材とするターゲットを有し、前記ターゲットの表面近傍に磁場の作用でプラズマを集中させてスパッタリングを行うマグネトロン・スパッタ装置を用い、構成元素、組成、結晶構造のうちの少なくとも一つが異なる2種類以上の膜を積層させて多層膜を形成する多層膜の製造方法において、
前記ターゲットの表面に平行な磁場の強度を前記ターゲットの表面で0.3T(テスラ)以上に設定する磁石装置を用意する工程と、
積層方向において互いに隣接するように膜を成膜し、前記積層方向に互いに隣接する膜の界面に存在する界面拡散層の厚みが、前記隣接する膜のうち薄い側の膜の厚みの50%以下となるように設定する成膜工程とを含むことを特徴とする多層膜の製造方法。
IPC (4件)：
C23C 14/35
, C23C 14/06
, G02B 5/08
, G02B 5/26
C23C14/35 E
, C23C14/06 N
, G02B5/08 A
, G02B5/08 C
, G02B5/26
2H042DA03
, 2H042DA07
, 2H042DA08
, 2H042DB02
, 2H042DC02
, 2H042DE00
, 2H048FA05
, 2H048FA07
, 2H048FA09
, 2H048FA11
, 2H048FA24
, 4K029AA06
, 4K029BA11
, 4K029BA35
, 4K029BB02
, 4K029BC07
, 4K029BD09
, 4K029CA05
, 4K029DC03
, 4K029DC39
, 4K029EA01
, 4K029EA03
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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