特許
J-GLOBAL ID:200903094234336959

不揮発性半導体記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森本 義弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-196824
公開番号(公開出願番号):特開2001-022653
出願日: 1999年07月12日
公開日(公表日): 2001年01月26日
要約:
【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置(非接触ICカード)において、書き込み実行中にその動作が中断した場合でも、書き込み中のEEPROMのデータの中身を保証することができることを目的とする。【解決手段】 EEPROM部4のデータエリア1-Aにバックアップエリア1-Bを設け、EEPROM部4のデータエリア1-Aの書き込み前のデータとアドレス情報とパリティ情報を、バックアップエリア1-Bに対して書き込み、データエリア1-Aへのデータの書き換えの実行が中断されたとき、データエリア1-Aとバックアップエリア1-B内のデータを参照することにより、データエリア1-Aのデータを修復するバックアップ動作制御回路15を設ける。この構成によれば、データの書き換えの実行が中断されたときでも、データエリア1-Aのデータの修復を行うことができる。
請求項(抜粋):
データエリア、このデータエリアに対する書き込み動作を実行する書き込み回路、および前記データエリアに対する読み出し動作を実行する読み出し回路からなるEEPROM部を備えた不揮発性半導体記憶装置であって、前記EEPROM部のデータエリアにバックアップエリアを設け、前記EEPROM部のデータエリアの書き込み前のデータとアドレス情報とパリティ情報を、前記バックアップエリアに対して書き込み、データエリアへのデータの書き換え中にその実行が中断されたとき、データエリアとバックアップエリア内のデータを参照することにより、データエリアのデータを修復するバックアップ動作制御回路を設けたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件):
G06F 12/16 340 ,  G06K 19/07
FI (2件):
G06F 12/16 340 P ,  G06K 19/00 N
Fターム (9件):
5B018GA04 ,  5B018KA03 ,  5B018MA24 ,  5B018NA06 ,  5B018QA15 ,  5B035AA11 ,  5B035BB09 ,  5B035CA23 ,  5B035CA34
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 携帯可能情報記憶媒体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-335538   出願人:大日本印刷株式会社
  • 記憶制御装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-339272   出願人:日本電気エンジニアリング株式会社
  • 送受信装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-321439   出願人:株式会社東海理化電機製作所
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