特許

J-GLOBAL ID：200903094243743451

高圧力ガス処理とプラズマ処理が可能な基板処理室

発明者： 近藤 智保 ,  田口 洋治 ,  小平 周司
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335350
公開番号（公開出願番号）：特開2001-152337
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：

【要約】【課題】流動化しにくい金属薄膜であっても、低温に加熱するだけで微細孔内に充填できる技術を提供する。【解決手段】基板39を真空雰囲気に置いて還元性ガスを含む処理ガスを導入してプラズマを発生させ、基板39上の金属薄膜表面の酸化膜を除去する。次いで、圧力チャンバ30内を70MPa以上の高圧力状態にする。表面の酸化膜が除去されているため、金属薄膜は流動化し易くなっており、銅薄膜の場合でも450°C以下に加熱するだけで空孔が潰れ、微細孔内を充填することができる。圧力チャンバ30に耐圧バルブ51〜53を設け、真空排気系41と処理ガス導入系42と真空計43とを接続しておくと、一つの圧力チャンバ30内で、プラズマによる酸化膜除去と、圧力ガス処理による微細孔の充填とを行うことができる。

請求項（抜粋）：

高圧ガス導入系が接続された気密構造の圧力チャンバを有する基板処理室であって、前記圧力チャンバ内には、プラズマ発生装置と基板加熱装置とが配置され、前記圧力チャンバの壁面には耐圧バルブが設けられ、真空排気系と処理ガス導入系とが前記耐圧バルブを介して接続されたことを特徴とする基板処理室。

IPC (4件)：

C23C 14/56 ,  B01J 3/00 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

C23C 14/56 F ,  B01J 3/00 A ,  B01J 3/00 J ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/88 M

Fターム (30件)：

4K029AA06 ,  4K029BA08 ,  4K029BA46 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DA01 ,  4K029DA08 ,  4K029FA05 ,  4K029GA01 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104DD16 ,  4M104DD77 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104HH13 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK01 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ86 ,  5F033XX02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにそれに用いる製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-136253   出願人：株式会社日立製作所
• 成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-001707   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 銅系配線膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-091651   出願人：株式会社神戸製鋼所, 日本真空技術株式会社