基板処理方法及び基板処理装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：渡邉勇 , 堀田信太郎 , 小杉良二 , 森友宏 , 廣澤哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-050407
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243845
出願日： 2004年02月25日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】配線の露出表面を該配線に対するバリア性を高めた配線保護膜で選択的に覆って配線を保護することができるようにする。【解決手段】基板の表面に形成した配線の露出表面に保護膜を選択的に形成して該配線を保護するに際し、基板の被めっき下地表面に前処理を行い、前処理を施した被めっき下地表面に無電解めっきを施して保護膜を選択的に形成し、無電解めっき後の基板を清浄化処理して乾燥させ、乾燥後の基板表面にプラズマ処理を行う。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板の表面に形成した配線の露出表面に保護膜を選択的に形成して該配線を保護するに際し、前記基板の被めっき下地表面に前処理を行い、前記前処理を施した被めっき下地表面に無電解めっきを施して前記保護膜を選択的に形成し、前記無電解めっき後の基板を清浄化処理して乾燥させ、前記乾燥後の基板表面にプラズマ処理を行うことを特徴とする基板処理方法。

IPC (6件)：

H01L21/3205 , C23C8/36 , C23C18/16 , C23C18/31 , H01L21/288 , H01L21/68

FI (7件)：

H01L21/88 K , C23C8/36 , C23C18/16 Z , C23C18/31 A , H01L21/288 E , H01L21/68 A , H01L21/88 R

Fターム (78件)：

4K022AA02 , 4K022AA41 , 4K022AA42 , 4K022BA04 , 4K022BA06 , 4K022BA14 , 4K022BA16 , 4K022BA24 , 4K022BA32 , 4K022CA03 , 4K022CA04 , 4K022CA06 , 4K022CA12 , 4K022CA16 , 4K022CA19 , 4K022CA20 , 4K022CA21 , 4K022CA23 , 4K022DA01 , 4K022DB15 , 4K022DB18 , 4K022EA02 , 4K022EA04 , 4K028BA01 , 4K028BA02 , 4K028BA05 , 4K028BA13 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104DD22 , 4M104DD33 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104HH01 , 4M104HH02 , 4M104HH05 , 4M104HH09 , 5F031CA02 , 5F031FA01 , 5F031FA07 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031FA15 , 5F031GA24 , 5F031GA32 , 5F031GA49 , 5F031HA38 , 5F031HA73 , 5F031KA03 , 5F031LA07 , 5F031LA15 , 5F031MA03 , 5F031MA23 , 5F031MA24 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033HH32 , 5F033MM01 , 5F033MM11 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033QQ53 , 5F033QQ91 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033WW00 , 5F033WW06 , 5F033XX03 , 5F033XX04 , 5F033XX14 , 5F033XX28 , 5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-039237 出願人：ソニー株式会社
膜形成方法及び膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-032039 出願人：東京エレクトロン株式会社
めっき方法、基板形成方法及び基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-003573 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ

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