膜形成方法及び膜形成装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大森純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-032039
公開番号（公開出願番号）：特開2002-370059
出願日： 2002年02月08日
公開日（公表日）： 2002年12月24日
要約：

【要約】【課題】低誘電率の層間絶縁膜等の膜相互間、あるいは層間絶縁膜と他の隣接する膜相互間の接着性を向上させる膜形成方法及び膜形成装置を提供すること。【解決手段】本発明は、基板上に形成された多孔質又は非多孔質の低誘電率絶縁膜46の表面に対して改質処理を施す工程と、前記改質処理を施された多孔質又は非多孔質の低誘電率絶縁膜46の表面に、エッチングマスク又はCMPストッパーとして絶縁膜47を形成する工程とを具備する。上記改質処理として、例えばプラズマを照射することにより、多孔質又は非多孔質の低誘電率絶縁膜46の表面粗さが増加して、いわゆるアンカー効果により膜相互間、あるいは層間絶縁膜と他の隣接する膜相互間の接着性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された多孔質又は非多孔質の低誘電率絶縁膜の表面に対して改質処理を施す工程と、前記改質処理を施された多孔質又は非多孔質の低誘電率絶縁膜の表面に、エッチングマスク又はCMPストッパーとして絶縁膜を形成する工程とを具備することを特徴とする膜形成方法。

IPC (12件)：

B05C 11/08 , B01J 19/00 , B01J 19/08 , B01J 19/10 , B01J 19/12 , B05C 9/10 , B05C 9/12 , B05D 1/38 , B05D 1/40 , B05D 3/04 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (12件)：

B05C 11/08 , B01J 19/00 K , B01J 19/08 H , B01J 19/10 , B01J 19/12 C , B05C 9/10 , B05C 9/12 , B05D 1/38 , B05D 1/40 A , B05D 3/04 C , H01L 21/316 P , H01L 21/90 J

Fターム (51件)：

4D075AC65 , 4D075AE03 , 4D075BB13Z , 4D075BB46Z , 4D075BB49X , 4D075BB49Z , 4D075CA23 , 4D075DA06 , 4D075DB14 , 4D075DC22 , 4D075EA07 , 4D075EA21 , 4F042AA07 , 4F042AB00 , 4F042CB03 , 4F042DA05 , 4F042DB41 , 4F042EB04 , 4F042EB09 , 4F042EB13 , 4F042EB18 , 4G075AA24 , 4G075BC06 , 4G075CA23 , 4G075CA33 , 4G075CA47 , 4G075EB42 , 4G075ED01 , 4G075FA02 , 4G075FC15 , 5F033MM01 , 5F033QQ00 , 5F033QQ28 , 5F033QQ49 , 5F033QQ54 , 5F033QQ89 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033SS22 , 5F033XX12 , 5F058AG07 , 5F058AG09 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BH16 , 5F058BH17 , 5F058BH20

引用特許：

審査官引用 (13件)

コンタクトホールの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-299922 出願人：旭化成マイクロシステム株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-051190 出願人：株式会社日立製作所
被成膜面の改質方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-001759 出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

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