特許
J-GLOBAL ID：200903094370574138

アミン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
小林 知洋

小林 知洋 について

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渡辺 武

渡辺 武 について

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永田 岳志

永田 岳志 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-359331
公開番号（公開出願番号）：特開2002-226470
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2002年08月14日
要約：
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示されるアミン化合物。【化1】(式中、R1は炭素数2〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基であり、カルボニル基、エーテル基、エステル基又はスルフィド基を1個又は複数個含んでいてもよい。R2は炭素数1〜10の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基である。R3は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はアルコキシ基であって、ヒドロキシ基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環又はカーボネート基を含んでいてもよい。R2とR3はそれぞれ結合してこれらが結合する酸素原子と共に環を形成してもよい。)【効果】 本発明のレジスト材料は、レジストの膜減り防止に対する効果が高く、解像性とフォーカスマージン拡大効果が高いものである。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示されるアミン化合物。【化1】(式中、R1は炭素数2〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基であり、カルボニル基、エーテル基、エステル基又はスルフィド基を1個又は複数個含んでいてもよい。R2は炭素数1〜10の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基である。R3は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はアルコキシ基であって、ヒドロキシ基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環又はカーボネート基を含んでいてもよい。R2とR3はそれぞれ結合してこれらが結合する酸素原子と共に環を形成してもよい。)
IPC (10件)：
C07D295/08 ,  C07D295/14 ,  C07D303/22 ,  C07D307/12 ,  C07D307/33 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/38
FI (12件)：
C07D295/08 Z ,  C07D295/14 Z ,  C07D303/22 ,  C07D307/12 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/30 502 R ,  C07D307/32 Q ,  C07D307/32 G ,  C07D307/32 P
Fターム (37件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB52 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096DA01 ,  2H096EA02 ,  2H096EA04 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096JA02 ,  2H096JA03 ,  4C037CA07 ,  4C037EA09 ,  4C037FA01 ,  4C048AA01 ,  4C048BB09 ,  4C048CC01 ,  4C048UU03 ,  4C048XX01 ,  4C048XX04
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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引用文献：
出願人引用 (16件)
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審査官引用 (17件)
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