特許
J-GLOBAL ID：200903094372436409
化学増幅レジストのパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-205660
公開番号（公開出願番号）：特開平7-043907
出願日： 1993年07月28日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 化学増幅レジストの、露光後から化学増幅のための熱処理までの間の時間によるレジスト特性の経時的劣化を抑える、簡便で安全性の高いパターン形成方法を構築することを目的とする。【構成】 基板に化学増幅レジストを塗布、保護膜を塗布、露光、化学増幅のための熱処理、該保護膜の選択的剥離、該化学増幅レジストの現像、の工程を含むパターン形成方法において、該保護膜を芳香族炭化水素を主成分とする溶媒を用いて塗布し、かつ、レジスト現像液よりも希薄なアルカリ水溶液で選択的に剥離するパターン形成方法。
請求項（抜粋）：
基板に化学増幅レジストを塗布し、該レジスト上に有機膜を塗布し、露光し、化学増幅のための熱処理をし、該有機膜の選択的剥離をし、該レジストをレジスト現像液により現像する工程を含むパターン形成方法において、芳香族炭化水素を主成分とする有機溶媒を前記有機膜の溶媒とし、かつ、前記レジスト現像液用のアルカリ性水溶液よりもpHの低いアルカリ性水溶液を前記有機膜の剥離溶液として用いることを特徴とする化学増幅レジストのパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/26 511
, G03F 7/11 501
, H01L 21/027
