特許
J-GLOBAL ID：200903094388149213

化合物半導体及びその製造方法並びに半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
大西 俊一

大西 俊一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (8件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  手島 勝 ,  藤田 篤史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-172336
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022630
出願日： 2002年06月13日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】AlGaAsからなる半導体層とAlGaInPからなる半導体層とを用いる半導体発光装置において、高出力動作が可能となるように、AlGaInPからなる半導体層とAlGaAsからなる半導体層とに所望の濃度のp型不純物を添加できるようにする。【解決手段】基板11の上には、n型クラッド層12、活性層13、第1のp型クラッド層14、エッチング停止層15、第2のp型クラッド層16、第1のコンタクト層17、電流ブロック層19及び第2のコンタクト層20が順次積層されている。p型不純物として、AlGaInPからなる第1のp型クラッド層14、エッチング停止層15、第2のp型クラッド層16及び第1のコンタクト層17にはMgが添加され、GaAsからなる第2のコンタクト層20にはZnが添加されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上に、リンを含む化合物半導体からなる第1の半導体層をマグネシウムを添加しながら成長する第1の工程と、 前記第1の半導体層の上に、ヒ素を含む化合物半導体からなる第2の半導体層を成長する第2の工程とを備え、 前記第2の工程において、前記第2の半導体層にマグネシウムと異なるp型の不純物を添加することを特徴とする化合物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01S5/323 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00
FI (3件)：
H01S5/323 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 B
Fターム (29件)：
5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CB02 ,  5F041CB11 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF20 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA59 ,  5F073AA03 ,  5F073AA53 ,  5F073BA05 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073EA06 ,  5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (5件)
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