半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-217014
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035926
出願日： 2005年07月27日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】機械加工によって金属膜および保護膜を除去することで金属膜を分断し、複数の電極を形成する半導体装置の製造方法において、電極同士がバリによって短絡してしまうことを防止する。【解決手段】金属膜4と保護膜3との間からの腐食媒体の透過をし難くできるデポジション、スパッタもしくは蒸着によって金属膜4を形成しつつ、ウェハ全面に形成される金属膜4を保護膜3の表面に形成し、その後、保護膜3の一部と共に金属膜4のうちの不要部分を除去する。このとき、不要部分の除去をバイト10を用いた機械加工によって行うが、保護膜3のコンタクトホール3aをテーパ面としておくことで金属膜4も傾斜させられるため、機械加工時に金属膜4のバリが発生して各種電極4a間が短絡することを防止できる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成された半導体チップ(1)と、前記半導体チップ(1)の上の所定領域に形成され、前記半導体素子と電気的に接続される第1金属膜(2)と、前記第1金属膜(2)におけるパッドとなる領域を露出させるコンタクトホール(3a)が形成され、前記第1金属膜(2)の上に形成された保護膜(3)と、前記保護膜(3)および前記第1金属膜(2)におけるパッドとなる領域の表面にデポジション、スパッタ法もしくは蒸着法によって形成された第2金属膜(4)とを有し、前記第2金属膜(4)および前記保護膜(3)は、前記保護膜(3)の厚みの途中まで除去され、前記保護膜(3)によって前記第2金属膜(4)が複数の電極(4a)に絶縁分離されており、前記コンタクトホール(3a)の側壁面がテーパ面であり、前記第1金属膜(2)の表面に対する前記コンタクトホール(3a)の側壁面および前記複数の電極(4a)のうち前記側壁面上に形成された部分の為す角度が26度以上かつ70度以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/28 , H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (3件)：

H01L21/90 B , H01L21/28 E , H01L21/88 T

Fターム (28件)：

4M104BB02 , 4M104CC01 , 4M104DD20 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD75 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104GG02 , 4M104GG18 , 4M104HH09 , 4M104HH20 , 5F033HH07 , 5F033HH13 , 5F033HH18 , 5F033KK08 , 5F033NN32 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ01 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ47 , 5F033RR22 , 5F033SS21 , 5F033VV07 , 5F033XX14 , 5F033XX31

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-013653 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (6件)

特開昭61-064172
半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-013653 出願人：富士通株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-181878 出願人：株式会社東芝

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