マスク描画データ作成方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-364131
公開番号（公開出願番号）：特開2000-187314
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】 LSIのパターンデータ処理において、マスク描画装置や光露光装置の解像限界以下のパターンを低減することにより、データ量を削減し、かつパターン寸法精度を向上する。【解決手段】リソグラフィで用いられるマスクの描画データ作成方法において、パターンデータに対して、マスクに形成されるパターンが許容寸法誤差に収まる範囲、あるいはウエハに形成されるパターンが許容寸法誤差に収まる範囲で、図形の頂点数を減らす操作もしくは、図形の頂点のX座標の種類数又はY座標の種類数を減らす操作を行って、該データに含まれる図形を単純化する。

請求項（抜粋）：

リソグラフィで用いられるマスクの描画データ作成方法において、パターンデータに対して、マスクに形成されるパターンが許容寸法誤差に収まる範囲、あるいはウエハに形成されるパターンが許容寸法誤差に収まる範囲で該データに含まれる図形を単純化することを特徴とするマスク描画データ作成方法。

Fターム (1件)：

2H095BB01

引用特許：

審査官引用 (4件)

荷電ビーム描画データ作成方法およびその作成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-105765 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の回路パターン設計方法及び直接描画装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-325862 出願人：ソニー株式会社
特開平2-202013

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