イオン注入マスクおよびその製造方法、並びにイオン注入マスクを用いた炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：下田容一郎 , 田宮寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-224353
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042803
出願日： 2005年08月02日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】従来例よりも深い選択導電領域の形成に利用でき、かつ選択導電領域の高品質化が可能なイオン注入マスクおよびその製造方法、並びにイオン注入マスクを用いた炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板11上の全面に保護膜である酸化膜12を形成する酸化膜形成工程と、酸化膜12上に金属薄膜13を形成する金属薄膜形成工程と、金属薄膜13上にイオン阻止能を有する金属からなるイオン阻止層14を形成するイオン阻止層形成工程と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上の全面に形成された保護膜である酸化膜と、イオン阻止能を有する金属からなるイオン阻止層と、前記酸化膜と前記イオン阻止層との間に、前記酸化膜と前記イオン阻止層とを密着させる金属薄膜と、を有することを特徴とするイオン注入マスク。

IPC (4件)：

H01L 21/266 , H01L 21/337 , H01L 29/808 , H01L 29/80

FI (3件)：

H01L21/265 M , H01L29/80 C , H01L29/80 V

Fターム (7件)：

5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭63-181421
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-315169 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭61-160924

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