特許
J-GLOBAL ID：200903025399624370
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090984
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289551
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 不純物の活性化率の向上と表面荒れの抑制を両立させる。【解決手段】 n-型エピ層2にイオン注入を行うことによりp型ベース領域3を形成する不純物層形成工程を含んだ炭化珪素半導体装置の製造方法において、不純物層形成工程では、n-型エピ層2に不純物をイオン注入したのち、熱処理を施すことによって注入された不純物を活性化させ、p型ベース領域3を形成しており、この熱処理において、n-型エピ層2の上面に炭化珪素層がデポジションされる速度とデポジションされる炭化珪素層がエッチングされる速度とが平衡状態となるようにする。これにより、マイグレーションを抑制できると共に、熱処理時に炭化珪素半導体の表面がエッチングされることなく、熱処理での表面荒れを抑制することができる。
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体(2)にイオン注入を行うことにより不純物層(3)を形成する不純物層形成工程を含んだ炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記不純物層形成工程では、前記炭化珪素半導体に不純物をイオン注入したのち、熱処理を施すことによって前記注入された不純物を活性化させることで前記不純物層を形成し、該熱処理において、前記炭化珪素半導体の上面に炭化珪素層がデポジションされる速度と該デポジションされる炭化珪素層がエッチングされる速度とが平衡状態となるようにすることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265
, H01L 21/265 602
, H01L 29/78 652
, H01L 21/336
H01L 21/265 602 A
, H01L 29/78 652 T
, H01L 21/265 Z
, H01L 29/78 658 A
, H01L 29/78 658 G
