炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-150939
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332180
出願日： 2005年05月24日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】イオン注入に好適なマスク(注入阻止層)の形成工程を含むイオン注入領域形成工程を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置の製造方法は、注入阻止層形成工程と、イオン注入工程と、注入阻止層除去工程とを備えている。注入阻止層形成工程では、炭化珪素基板において、イオンが注入される領域を露出させるパターンを有する注入阻止層を形成する。イオン注入工程では、注入阻止層が形成された炭化珪素基板に注入阻止層をマスクとしてイオンを注入する。注入阻止層除去工程では、イオン注入工程においてイオンが注入された炭化珪素基板から注入阻止層を除去する。さらに、注入阻止層形成工程では、珪素原子よりも原子量が大きい元素を構成元素として含み、かつイオンが注入されるときの炭化珪素基板の温度よりも融点が高い材料からなる注入阻止層を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板において、イオンが注入される領域を露出させるパターンを有する注入阻止層を前記炭化珪素基板上に形成する注入阻止層形成工程と、前記注入阻止層が形成された前記炭化珪素基板に前記注入阻止層をマスクとして前記イオンを注入するイオン注入工程と、前記イオン注入工程において前記イオンが注入された前記炭化珪素基板から前記注入阻止層を除去する注入阻止層除去工程とを備え、前記注入阻止層形成工程では、珪素原子よりも原子量が大きい元素を構成元素として含み、かつ前記イオンが注入されるときの前記炭化珪素基板の温度よりも融点が高い材料からなる前記注入阻止層を形成する、炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/266 , H01L 29/808 , H01L 21/337 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L21/265 M , H01L29/80 C , H01L21/265 Z

Fターム (11件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC02 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GM02 , 5F102GR10 , 5F102HC07 , 5F102HC09 , 5F102HC15

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭62-33424号公報
特開昭64-59860号公報

審査官引用 (8件)

半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-151243 出願人：松下電器産業株式会社
デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-252881 出願人：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-066960 出願人：株式会社東芝

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