パワースイッチング装置及びインバータ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140532
公開番号（公開出願番号）：特開2000-333468
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】IGBT61〜66の異常状態に応じて異なる電力規制モードを採用することにより、素子保護機能の低下を抑止しつつ、使い勝手に優れたインバータ装置を提供する。【解決手段】インバータ回路の各IGBT61〜66にはそれぞれ、IGBT61〜66の過熱などの異常状態を検出した場合に電力スイッチング素子を個別遮断する素子保護部81〜86が設けられている。素子保護部81〜86は、異常状態の種類に応じて、個別遮断(自己遮断)を実施するとともに異常信号を外部制御部に出力するモードと、個別遮断を実施することなく異常信号を外部制御部に出力するモードとを有するので、外部制御部55による一斉遮断前に、IGBT61〜66の一部が遮断してインバータ回路内に異常な通電経路が生じてモータやインバータ回路に悪影響を与えることが防止できるとともに、IGBT61〜66が緊急の遮断を必要としている場合には上記一斉遮断をまつことなく直ちに個別遮断(自己遮断)を実施できる。

請求項（抜粋）：

電力スイッチング素子と、検出した前記電力スイッチング素子の状態量に基づいて前記電力スイッチング素子の異常状態を検出して前記異常状態を示す異常信号を出力するとともに前記異常状態の前記電力スイッチング素子を遮断する素子保護部とを備えるパワーモジュール、および、前記パワーモジュールの外部に設けられて前記異常検出部からの前記異常信号の受信時に前記電力スイッチング素子の通電電力を規制する外部制御部を備えるパワースイッチング装置において、前記異素子保護部は、前記異常信号に基づいて、前記電力スイッチング素子の即時遮断を要する緊急異常状態と、前記電力スイッチング素子の即時遮断を要しないがなんらかの通電電力制限は必要である非緊急異常状態とを判別して、前記両異常状態に個別に対応する緊急異常信号および非緊急異常信号を前記外部制御部に出力するとともに、前記緊急異常状態時に前記電力スイッチング素子を遮断し、前記非緊急異常状態時に前記電力スイッチング素子を遮断せず、前記外部制御部は、前記緊急異常信号受信時に前記電力スイッチング素子を遮断し、前記非緊急異常信号受信時に前記電力スイッチング素子の通電電力を部分的に制限することを特徴とするパワースイッチング装置。

IPC (5件)：

H02M 7/48 , B60L 9/18 , G05F 1/10 304 , H02M 1/00 , H02P 7/63 302

FI (5件)：

H02M 7/48 M , B60L 9/18 J , G05F 1/10 304 G , H02M 1/00 D , H02P 7/63 302 S

Fターム (72件)：

5H007AA05 , 5H007AA06 , 5H007AA17 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CB05 , 5H007CC23 , 5H007DA04 , 5H007DA05 , 5H007DB01 , 5H007DC02 , 5H007DC05 , 5H007DC08 , 5H007EA02 , 5H007FA03 , 5H007FA13 , 5H007FA18 , 5H007FA19 , 5H007GA08 , 5H115PA08 , 5H115PA15 , 5H115PC06 , 5H115PI16 , 5H115PU11 , 5H115PV09 , 5H115PV23 , 5H115QE01 , 5H115QE10 , 5H115QI04 , 5H115TU02 , 5H115TU05 , 5H115TU12 , 5H410BB01 , 5H410BB05 , 5H410BB06 , 5H410CC02 , 5H410DD04 , 5H410DD06 , 5H410EA10 , 5H410EA35 , 5H410EB09 , 5H410EB39 , 5H410FF03 , 5H410FF05 , 5H410FF14 , 5H410FF23 , 5H410LL01 , 5H410LL05 , 5H410LL09 , 5H576AA15 , 5H576CC01 , 5H576DD02 , 5H576DD10 , 5H576FF02 , 5H576FF04 , 5H576HA02 , 5H576HB02 , 5H576LL22 , 5H576LL24 , 5H576LL25 , 5H576MM02 , 5H576MM03 , 5H576MM06 , 5H740AA08 , 5H740BA11 , 5H740BB05 , 5H740BB09 , 5H740BC06 , 5H740MM01 , 5H740MM08 , 5H740MM11 , 5H740NN17

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体素子の異常検出および保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-044416 出願人：富士電機株式会社
電力用半導体素子の保護方式
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-255756 出願人：株式会社安川電機
半導体装置とこの半導体装置を用いた電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-153158 出願人：株式会社東芝

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