半導体装置及び半導体装置の検査方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-183809
公開番号（公開出願番号）：特開2002-005857
出願日： 2000年06月19日
公開日（公表日）： 2002年01月09日
要約：

【要約】【課題】 TFT形成後にその活性領域を形成する結晶質半導体膜の結晶性を評価する手段を提供することを第一の目的とする。また、非晶質半導体膜を結晶化して得られる結晶質半導体膜の配向性を高め、そのような結晶質半導体膜を用いたTFTを提供することを第二の目的とする。【解決手段】 EPSPを用いて、基板上に形成された半導体膜を有する半導体装置に対し、当該基板を化学的機械研磨により薄板化する処理と、薄板化した当該基板をエッチングにより除去して、或いは、薄板化した当該基板と、当該基板と半導体膜の間の絶縁層とをエッチングにより除去して、前記半導体膜の表面を露出させる処理とを有し、露出した半導体膜の表面に電子線を照射して、EBSPから結晶方位を測定することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された半導体膜を有する半導体装置に対し、前記基板を化学的機械研磨により薄板化する処理と、薄板化した前記基板をエッチングにより除去して前記半導体膜の表面を露出させる処理とを有し、前記半導体膜の表面に電子線を照射して、反射電子回折パターンから結晶方位を測定することを特徴とする半導体装置の検査方法。

IPC (9件)：

G01N 23/20 , G01N 1/28 , G01N 1/32 , G09F 9/00 352 , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 21/66 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (12件)：

G01N 23/20 , G01N 1/32 B , G09F 9/00 352 , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 21/66 N , G01N 1/28 G , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 F , H01L 29/78 620 , H01L 29/78 624 , H01L 29/78 627 G

Fターム (125件)：

2G001AA01 , 2G001AA03 , 2G001BA05 , 2G001BA18 , 2G001CA01 , 2G001CA03 , 2G001DA02 , 2G001DA06 , 2G001DA09 , 2G001EA03 , 2G001FA02 , 2G001FA08 , 2G001GA04 , 2G001GA05 , 2G001GA14 , 2G001HA12 , 2G001HA13 , 2G001JA16 , 2G001KA01 , 2G001KA08 , 2G001KA20 , 2G001LA11 , 2G001MA04 , 2G001MA05 , 2G001NA03 , 2G001NA07 , 2G001PA05 , 2G001RA02 , 2G001RA03 , 2G001RA04 , 2G001RA08 , 2G001RA20 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106AB01 , 4M106BA02 , 4M106BA11 , 4M106BA12 , 4M106CB17 , 4M106DH24 , 4M106DH25 , 4M106DH33 , 4M106DH55 , 4M106DH57 , 4M106DH60 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5C094JA08 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA24 , 5F052BA02 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052CA00 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052EA15 , 5F052FA06 , 5F110AA24 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28 , 5G435AA17 , 5G435AA19 , 5G435BB12 , 5G435CC09 , 5G435HH13 , 5G435KK05 , 5G435KK09 , 5G435KK10

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平2-216042
半導体素子の欠陥調査用試験片の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-209245 出願人：現代電子産業株式会社
裏面からの成分分析の試料作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-040671 出願人：日本電気株式会社

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審査官引用 (7件)

特開平2-216042
半導体素子の欠陥調査用試験片の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-209245 出願人：現代電子産業株式会社
裏面からの成分分析の試料作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-040671 出願人：日本電気株式会社

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