特許
J-GLOBAL ID：200903094484660549
3族窒化物半導体発光素子の基板切断方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-347691
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167858
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】チッピングを防止しダイシング時の位置決め制御を容易にする。【解決手段】n+ 層、n層、発光層、p層とが3族窒化物半導体で形成された発光素子の基板切断方法で、所定幅の切断線を格子状に残し、切断線の境界領域とn層の電極が形成される領域で、n+ 層の面を露出させ、格子状の切断線をダイシングラインとしてパターン認識して、切断線の幅よりもやや広い幅のブレードにより切断線の各層が除去され基板の表面に溝が形成されるまでダイシングし、基板の裏面において溝に対応する位置をスクライブし、基板を各チップ毎に分離する。よって、切断線が凸状に形成されているのでパターン認識が容易でありブレードの位置決め制御が容易となる。ブレードの周囲はp層と発光層が除去されているので、機械的振動が発光層に伝搬しないので、ダイシング時に発光層に機械歪みを与えることがない。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたn伝導型のn層、発光層、p伝導型のp層とが3族窒化物半導体で形成された3族窒化物半導体発光素子の基板切断方法において、前記基板を切断して各発光素子チップ毎に分離するための所定幅の切断線を格子状に残し、その切断線の境界領域と前記n層に対する電極が形成される領域とにおいて、前記n層の面が露出するようにエッチングし、格子状に残された前記切断線をダイシングラインとしてパターン認識して、その切断線の幅よりもやや広い幅のブレードを用いて、前記切断線の各層が除去され前記基板の表面に溝が形成されるまでダイシングし、前記基板の裏面において前記溝に対応する位置をスクライブし、前記基板に荷重をかけて、前記基板を各チップ毎に分離することを特徴とする3族窒化物半導体発光素子の基板切断方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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