熱電半導体の部分メッキ膜形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-031301
公開番号（公開出願番号）：特開平10-212585
出願日： 1997年01月29日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】メッキ膜の厚さのばらつきを低減するとともに、生産性の格段の向上が可能な熱電半導体の部分メッキ膜形成方法を実現すること、熱電半導体のめっきすべき主面の全面にわたって良好にメッキ膜を形成可能であり、特にその端縁部におけるメッキ膜の傷や剥離を防止して熱電半導体へのはんだのすず成分の拡散防止性を向上した熱電半導体の部分メッキ膜形成方法を実現すること。【解決手段】熱電半導体基板を無電解めっき浴に浸漬しつつその主面にレーザー光を照射することにより、熱電半導体基板の主面に電解めっき膜をあらかじめが形成することなく、無電解めっきにより直接にすず拡散防止可能な良導電性のはんだ用バリヤメタル膜を作製する。また、ウエハまたは棒材を最終形状に分割して最終的な主面形状をもつ熱電半導体チップをあらかじめ形成し、この熱電半導体チップを無電解めっき浴に浸漬しつつ、その主面にレーザー照射する事によりすず拡散防止可能な良導電性のはんだ用バリヤメタル膜を形成する。

請求項（抜粋）：

熱電半導体を無電解メッキ浴に浸漬しつつレーザー光を照射することにより前記熱電半導体の照射部に部分メッキ膜を形成することを特徴とする熱電半導体の部分メッキ膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 18/14 , C23C 18/50 , C23C 26/00

FI (3件)：

C23C 18/14 , C23C 18/50 , C23C 26/00 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

光利用めつき液およびめつき方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-101926 出願人：株式会社豊田中央研究所
熱電素子およびこれを用いた熱電装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-096128 出願人：小松エレクトロニクス株式会社
特開平4-023368

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