特許

J-GLOBAL ID：200903094488411675

半導体プロセス用排ガス処理装置

発明者： 佐伯 登 ,  三好 照一
出願人/特許権者： パール工業株式会社
代理人 (2件)： 鈴江 孝一 ,  鈴江 正二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-328226
公開番号（公開出願番号）：特開2004-160338
出願日： 2002年11月12日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】イオン衝撃や周辺温度の異常上昇等の不都合を招くことなく、プラズマ発生領域に電磁誘導電磁界のみ発生させて所定の排ガス処理を高性能、高効率に行なうことができるとともに、耐久性の向上を図ることができるようにする。【解決手段】半導体プロセスチャンバーから排出される排ガス処理用プラズマを発生するための高周波放電管4を、排ガス導入口5a及び導出口5bを有する絶縁性管状容器5とその外周に螺旋コイル状に巻回させた誘導結合方式の高周波放電用電極9とから構成し、この高周波放電用電極9と絶縁性管状容器5内のプラズマ発生領域PZとの間に、高周波電力の印加に伴う静電誘導電界を遮蔽するように周方向の少なくとも一部に切欠部10aを有する筒状のファラデーシールド10を介装させている。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体プロセスチャンバーから排出される排ガスの導入口及び導出口を有する絶縁性管状容器の外周に誘導結合方式の高周波放電用電極を螺旋コイル状に巻回させて高周波放電管を構成し、この高周波放電管のコイル状高周波放電用電極に高周波電力を印加することにより上記容器内にプラズマを発生させて半導体プロセス用排ガスを分解処理するように構成されている半導体プロセス用排ガス処理装置において、 上記螺旋コイル状の高周波放電用電極と上記絶縁性管状容器内のプラズマ発生領域との間に、高周波電力の印加に伴う静電誘導電界を遮蔽するように周方向の少なくとも一部に切欠部を有する筒状のファラデーシールドが介装されていることを特徴とする半導体プロセス用排ガス処理装置。

IPC (6件)：

B01D53/70 ,  B01D53/68 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

FI (6件)：

B01D53/34 134E ,  C23C16/44 E ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 L ,  B01D53/34 134C ,  H01L21/302 101G

Fターム (15件)：

4D002AA22 ,  4D002AC10 ,  4D002BA07 ,  4D002DA35 ,  4D002DA70 ,  4K030DA06 ,  4K030EA12 ,  4K030JA18 ,  4K030KA12 ,  4K030KA15 ,  4K030KA26 ,  4K030KA46 ,  5F004BC02 ,  5F004CA03 ,  5F045EG07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体プロセス用排ガス処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-011400   出願人：パール工業株式会社
• 高周波放電装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-046091   出願人：富士通株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-356472   出願人：東京応化工業株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-027626   出願人：株式会社日立製作所