特許

J-GLOBAL ID：200903094663817019

薄膜形成方法

発明者： 吉村 昌弘 ,  藤原 武 ,  宋 丞婉 ,  渡辺 友亮 ,  寺西 亮 ,  キョー-ション ハン
出願人/特許権者： 東京工業大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-076578
公開番号（公開出願番号）：特開2001-262396
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】 高エネルギープロセスを必要としない新規な薄膜合成法を提供する。【解決手段】 蒸留水にLiOH・H2Oを溶解させて調整溶液を作製し、この調整溶液にCo金属粉末を加えて反応溶液を作製する。この反応溶液をオートクレーブ中に入れて所定の温度に保持する。次いで、前記反応溶液中に一対の白金電極を設置し、所定の電圧を印加する。これにより、前記白金電極のアノード電極に、前記調整溶液の構成元素であるLiと前記金属粉末の構成元素であるCoを含んでなるLiCoO2薄膜が合成され、形成される。

請求項（抜粋）：

調整溶液中に金属粉末又は金属化合物粉末を加えて反応溶液を作製するとともに、この反応溶液中にアノード電極及びカソード電極を配置し、前記アノード電極と前記カソード電極との間に所定の電圧を印加することにより、前記アノード電極上に、前記調整溶液の構成元素と前記金属粉末又は前記金属化合物粉末の構成元素とを含んでなる薄膜を合成することを特徴とする、薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C25D 15/02 ,  C25D 9/06 ,  H01M 4/04

FI (3件)：

C25D 15/02 E ,  C25D 9/06 ,  H01M 4/04 A

Fターム (11件)：

5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050FA11 ,  5H050FA18 ,  5H050GA02 ,  5H050GA11 ,  5H050GA29 ,  5H050GA30 ,  5H050HA14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-037901   出願人：東京工業大学長