パワーMOSデバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-555246
公開番号（公開出願番号）：特表2008-530800
出願日： 2006年02月10日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：

半導体デバイスは、ドレインと、ドレインの上に配置され、ボディ上面を有するボディと、前記ボディ内に埋め込まれ、ボディ上面からボディ内に下方に延びるソースと、ソース及びボディを貫通してドレイン内に延びるゲートトレンチと、ゲートトレンチ内に配置されたゲートと、トレンチ壁及び該トレンチ壁に沿って配置された突き抜け防止注入を有するソースボディコンタクトトレンチとを含む。半導体デバイスを作製する方法は、基板上面を有する基板上にハードマスクを形成する段階と、基板内にハードマスクを貫通してゲートトレンチを形成する段階と、ゲートトレンチ内にゲート材料を堆積させる段階と、ハードマスクを除去してゲート構造体を残す段階と、トレンチ壁を有するソースボディコンタクトトレンチを形成する段階と、突き抜け防止注入を形成する段階とを含む【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ドレインと、該ドレインの上に配置され、ボディ上面を有するボディと、該ボディ内に埋め込まれ、前記ボディ上面から前記ボディ内に下方に延びるソースと、該ソース及び前記ボディを貫通して前記ドレイン内に延びるゲートトレンチと、前記ゲートトレンチ内に配置されたゲートと、トレンチ壁及び該トレンチ壁に沿って配置された突き抜け防止インプラントを有するソースボディコンタクトトレンチと、を含むことを特徴とする半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 27/04

FI (4件)：

H01L29/78 652B , H01L29/78 652M , H01L29/78 653A , H01L29/78 657A

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-109775
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-210882 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-223664 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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