高耐圧ICおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-352576
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152095
出願日： 2001年11月19日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】1枚のフォトマスクで、第1ウエル領域および耐圧接合終端構造を形成する第2ウエル領域を形成し、低コストの高耐圧ICおよびその製造方法を提供する。【解決手段】浮遊基準回路が形成される第1ウエル領域1と、耐圧接合終端構造を形成する第2ウエル領域2とを1枚のフォトマスクを用いて形成する。このフォトマスクは第2ウエル領域を形成するためのレジストマスクを部分的に開口するようにしたマスクであり、第1ウエル領域1と第2ウエル領域2のイオン注入を同時に行っても、熱拡散後の第2ウエル領域2の不純物濃度を第1ウエルよりも低くすることができて、耐圧接合終端構造(リサーフ構造)とすることができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の表面層に、活性領域を形成する第2導電型の第1ウエル領域と、該第1ウエル領域の周囲に、該第1ウエル領域と接して、該第1ウエル領域より拡散後の不純物濃度が低く、耐圧接合終端構造となる第2導電型の第2ウエル領域とを備える高耐圧ICにおいて、前記第2ウエル領域の拡散深さ方向(垂直方向)の端部断面形状が波形に形成されることを特徴とする高耐圧IC。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 , H01L 21/266 , H01L 27/088 , H01L 29/06 301 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/06 301 D , H01L 27/08 102 B , H01L 21/265 M , H01L 29/78 301 W

Fターム (17件)：

5F048AA05 , 5F048AA09 , 5F048AC06 , 5F048BC01 , 5F048BC02 , 5F048BC03 , 5F048BE02 , 5F048BE05 , 5F048BE06 , 5F140AA40 , 5F140AB01 , 5F140AC21 , 5F140BH13 , 5F140BH30 , 5F140BK13 , 5F140CB08 , 5F140CF00

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-058461 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭63-269514
半導体基体内に2個のトランジスタを形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-204331 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

全件表示

前のページに戻る