特許

J-GLOBAL ID：200903094818764839

窒化物半導体基板の製造方法

発明者： 石田 昌宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019550
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222772
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】 母材基板上に窒化物半導体を成長し、レーザ照射により母材基板と窒化物半導体を分離する際に、クラックや割れの発生を防止する。【解決手段】 母材基板の原子結合をイオン注入などにより弱め、その上に窒化物半導体を成長させ、レーザ照射により母材基板と窒化物半導体を分離することで窒化物半導体基板を得る。

請求項（抜粋）：

母材基板主面に前記母材基板を構成する材料の原子結合が切断された領域を設ける第1の工程と、前記母材基板上に窒化物半導体層を形成する第2の工程と、前記母材基板と前記窒化物半導体層との界面にレーザ光を照射する第3の工程とを有する、窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/268 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/00 ,  B23K 26/00

FI (6件)：

H01L 21/268 E ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/00 B ,  B23K 26/00 H

Fターム (28件)：

4E068CA03 ,  4E068CE03 ,  4E068DA09 ,  4K029AA04 ,  4K029CA10 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA64 ,  5F041CA71 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB13 ,  5F045CA09 ,  5F045CA11 ,  5F045HA05 ,  5F045HA18 ,  5F072AA06 ,  5F072AB02 ,  5F072HH07 ,  5F072MM17 ,  5F072QQ02 ,  5F072YY06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-272286   出願人：株式会社東芝
• 2つの材料層を相互に分離する方法及びこの方法により製造された電子部品
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-516150   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-029434   出願人：松下電器産業株式会社