液晶表示装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-293212
公開番号（公開出願番号）：特開2003-098548
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、生産性を向上し材料の利用効率を高くすることができる液晶表示装置およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、半導体層4のほぼ中央部に所定幅の半導体層上絶縁層5aを有すると共にゲート絶縁層3上にパターン化して形成される第2の絶縁層5を設ける。半導体層4上にソース電極6とドレイン電極7を塗付によって形成し、半導体層上絶縁層5aの幅はゲート電極2の幅より小さく形成する。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを含む画素を有するアクティブマトリックス型の液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタは、絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層の順に積層配置され、前記半導体層のほぼ中央部に所定幅の半導体層上絶縁層を有すると共に前記ゲート絶縁層上にパターン化して形成される第2の絶縁層を設け、前記第2の絶縁層によってパターン化された前記半導体層上絶縁層の一方側と他方側の前記半導体層上にソース電極とドレイン電極を塗付によって形成し、前記第2の絶縁層の半導体層上絶縁層の幅は前記ゲート電極の幅より小さく形成されていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (5件)：

G02F 1/1368 , H01L 21/288 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/00

FI (5件)：

G02F 1/1368 , H01L 21/288 Z , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 619 A , H01L 29/28

Fターム (87件)：

2H092GA11 , 2H092GA17 , 2H092GA25 , 2H092GA26 , 2H092GA29 , 2H092GA30 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA36 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092KB01 , 2H092KB04 , 2H092KB05 , 2H092MA01 , 2H092MA10 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD26 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE25 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ18 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN36 , 5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-139972
特開平2-232935
薄膜半導体装置及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-364554 出願人：ソニー株式会社

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