薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木市郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-042168
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246604
出願日： 2001年02月19日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】高抵抗アモルファスシリコン膜4の厚さを薄くするとともにコンタクト層6の膜厚を略一定にすることにより、特性が不安定になったり、不均一な特性を示すことのない薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基板1上に形成されたゲート電極2、ゲート電極2上及び基板1上に形成されたゲート絶縁膜3、ゲート絶縁膜3上に形成された高抵抗アモルファスシリコン膜4、高抵抗アモルファスシリコン膜4上の各一部にコンタクト層6を介して形成されたドレイン電極7及びソース電極8を有する薄膜トランジスタであって、コンタクト層6は、高抵抗アモルファスシリコン膜4中に不純物5を拡散して得た低抵抗領域であり、ドレイン電極7及びソース電極8の接触部分に拡散されている不純物5の量が0.01%以上になっている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上及び前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された高抵抗アモルファスシリコン膜と、前記高抵抗アモルファスシリコン膜上の各一部にコンタクト層を介して形成されたドレイン電極及びソース電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記コンタクト層は、前記ドレイン電極及び前記ソース電極との接触部分における前記高抵抗アモルファスシリコン膜の内部に不純物を拡散して得た低抵抗領域であり、前記コンタクト層への前記不純物の拡散量が0.01%以上になっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1368 , H01L 21/225

FI (4件)：

G02F 1/1368 , H01L 21/225 D , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 627 B

Fターム (37件)：

2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA42 , 2H092KA05 , 2H092KA13 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092NA24 , 2H092PA01 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ16 , 5F110HJ21 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ02 , 5F110QQ08 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (8件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-187040 出願人：株式会社東芝
薄膜トランジスタの製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-075467 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-050131

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