特許

J-GLOBAL ID：200903094921023251

メタライゼーション構造を製造する方法

発明者： 臼井 孝公 ,  パトリック・ダブリュー・デハーヴェン ,  ケニス・ピー・ロッドベル ,  ロナルド・ジー・フィリッピ ,  チーホア・ヤン ,  堅田 富夫 ,  青地 英明
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-112526
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308363
出願日： 1998年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】 優れた電気移動を示し、高度にテクスチャ付きであり、特に電気接続または電気配線を形成するのに適したメタライゼーション構造を製造する方法を提供すること。【解決手段】 メタライゼーション構造を製造する方法は、約90オングストロームないし約110オングストロームの厚さを有する、チタンのようなIVA族金属の第1の下層13を基板上に付着し、その後、アルミニウムおよびアルミニウム合金からなるグループから選択された少なくとも1つの成分の層を前記下層に電気接触させて付着する。

請求項（抜粋）：

a)約90オングストロームないし約110オングストロームの厚さを有するIVA族金属の第1の下層を基板上に付着するステップと、b)アルミニウムおよびアルミニウム合金からなるグループから選択された少なくとも1つの成分の層を、それが前記下層に電気接触するように付着するステップとを含むメタライゼーション構造を製造する方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/06 ,  C23C 28/02

FI (6件)：

H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 14/14 G ,  C23C 14/34 N ,  C23C 16/06 ,  C23C 28/02

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-011215   出願人：松下電器産業株式会社
• 特公平7-052733
  
• 処理装置および処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-151511   出願人：テル・バリアン株式会社
• 特開平1-312852
  
• Al合金薄膜配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-214777   出願人：株式会社東芝