特許
J-GLOBAL ID:200903095009227322
光起電力素子及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
福森 久夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-000360
公開番号(公開出願番号):特開平9-186350
出願日: 1996年01月05日
公開日(公表日): 1997年07月15日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、透明層に発生したピンホールを修復することにより、光電変換効率が高く、しかも過酷な環境下における信頼性の高い、光起電力素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の光起電力素子は、少なくとも、銅を主成分とする金属層で表面が被覆された基板上に、第1透明層、半導体からなる光起電力層、及び第2電極が順次堆積されてなる光起電力素子において、前記第1透明層の一部にピンホールが存在するため、前記第1透明層で被覆されていない前記金属層の少なくとも表面部分が、酸化銅で覆われていることを特徴とする。また、本発明の光起電力素子の製造方法は、前記第1透明層を堆積した後、前記光起電力素子を表面から酸化処理する工程αを有することを特徴とする。
請求項(抜粋):
少なくとも、銅を主成分とする金属層で表面が被覆された基板上に、第1透明層、半導体からなる光起電力層、及び第2電極が順次堆積されてなる光起電力素子において、前記第1透明層の一部にピンホールが存在するため、前記第1透明層で被覆されていない前記金属層の少なくとも表面部分が、酸化銅で覆われていることを特徴とする光起電力素子。
FI (2件):
H01L 31/04 M
, H01L 31/04 F
引用特許:
審査官引用 (7件)
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光電変換装置の短絡箇所の除去方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-361499
出願人:キヤノン株式会社
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特開昭63-076442
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特開平4-234177
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