特許
J-GLOBAL ID：200903095091563785

レベル変換回路およびそれを用いた半導体装置

発明者：
渡邉 哲也

渡邉 哲也 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-277437
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045526
出願日： 2003年07月22日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【課題】 貫通電流が小さく、レベル変換速度が速く、構成が簡単なレベル変換回路を提供する。【解決手段】 このレベル変換回路2はクロスカップル接続されたPチャネルMOSトランジスタ13,14と第2電源電位VDD2のラインとの間にPチャネルMOSトランジスタ11,12を接続し、PチャネルMOSトランジスタ11,12のゲートを接地電位GNDのラインに接続したものである。入力信号VIが「L」レベルから「H」レベルに立上げられると、MOSトランジスタ11,13,15が共に導通するが、PチャネルMOSトランジスタ11によって電圧降下が発生し、PチャネルMOSトランジスタ13の電流駆動力が低下する。したがって、貫通電流が抑制され、レベル変換速度が速くなる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
その一方のレベルが基準電位であり、その他方のレベルが第1の電源電位である第1の信号を、その一方のレベルが前記基準電位であり、その他方のレベルが前記第1の電源電位よりも高い第2の電源電位である第2の信号に変換するレベル変換回路であって、 それらの第1の電極が前記第2の電源電位を受け、それらのゲート電極が共に前記基準電位を受ける第1の導電形式の第1および第2のトランジスタ、 それらの第1の電極がそれぞれ前記第1および第2のトランジスタの第2の電極に接続され、それらのゲート電極がそれぞれ第1および第2の出力ノードに接続され、それらの第2の電極がそれぞれ前記第2および第1の出力ノードに接続された第1の導電形式の第3および第4のトランジスタ、および それらの第1の電極がそれぞれ前記第2および第1の出力ノードに接続され、それらのゲート電極がそれぞれ前記第1の信号およびその反転信号を受け、それらの第2の電極が共に前記基準電位を受ける第2の導電形式の第5および第6のトランジスタを備える、レベル変換回路。
IPC (3件)：
H03K19/0185 ,  H03K5/02 ,  H03K19/094
FI (3件)：
H03K19/00 101E ,  H03K5/02 L ,  H03K19/094 D
Fターム (28件)：
5J039CC04 ,  5J039CC06 ,  5J039CC18 ,  5J039KK10 ,  5J039KK13 ,  5J039KK34 ,  5J039MM03 ,  5J039MM08 ,  5J039MM16 ,  5J056AA32 ,  5J056BB02 ,  5J056BB19 ,  5J056BB51 ,  5J056CC00 ,  5J056CC04 ,  5J056CC05 ,  5J056CC15 ,  5J056CC21 ,  5J056DD13 ,  5J056DD28 ,  5J056DD29 ,  5J056EE04 ,  5J056EE06 ,  5J056EE07 ,  5J056EE12 ,  5J056FF08 ,  5J056GG06 ,  5J056KK01
引用特許：
出願人引用 (9件)
  • LSIデバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-190791   出願人：富士通株式会社
  • 特開昭63-164526
  • レベル変換回路および半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-359273   出願人：株式会社日立製作所
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審査官引用 (8件)
  • 特開昭63-164526
  • レベル変換回路および半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-359273   出願人：株式会社日立製作所
  • レベルシフタ回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-340085   出願人：松下電器産業株式会社
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