レベルシフト回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-338340
公開番号（公開出願番号）：特開2003-283326
出願日： 2002年11月21日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】レベルシフト回路において低電源電圧化しても高速に動作させる。【解決手段】入力信号IN又は反転入力信号XINがゲート電極に入力される信号入力用のN型トランジスタ1、2において、その基板にも基板バイアス用のP型トランジスタ5、6を介して前記信号IN又はXINを与える。信号IN又はXINの立上り変化時には、信号入力用のN型トランジスタ1、2の各閾値電圧が基板バイアス効果により下がる。従って、信号IN又はXINが低電圧レベルであっても、高速に動作する。また、出力信号OUT又は反転出力信号XOUTが高電圧レベルに変化すると、前記基板バイアス用のトランジスタ5、6が非導通状態となるので、信号変化時以外は信号入力用のN型トランジスタ1、2の基板には入力信号IN又は反転入力信号XINは与えられない。従って、それらの基板に常時貫通電流が流れることはない。

請求項（抜粋）：

入力信号及び前記入力信号を反転した反転入力信号が入力され、前記入力信号及び反転入力信号の振幅レベルを、この振幅レベルよりも大きい振幅レベルにシフトし、このシフト後の振幅レベルを持つ出力信号及びこの出力信号を反転した反転出力信号の少なくとも一方を出力するレベルシフト回路であって、ゲート電極に前記入力信号が入力される信号入力用の第1のN型トランジスタと、ゲート電極に前記反転入力信号が入力される信号入力用の第2のN型トランジスタと、ソース電極に前記入力信号が入力され、ドレイン電極が前記信号入力用の第1のN型トランジスタの基板に接続され、ゲート電極に前記出力信号が入力される基板バイアス用の第1のP型トランジスタと、ソース電極に前記反転入力信号が入力され、ドレイン電極が前記信号入力用の第2のN型トランジスタの基板に接続され、ゲート電極に前記反転出力信号が入力される基板バイアス用の第2のP型トランジスタとを備えたことを特徴とするレベルシフト回路。

Fターム (13件)：

5J056AA11 , 5J056BB02 , 5J056BB18 , 5J056BB19 , 5J056CC04 , 5J056CC05 , 5J056CC21 , 5J056DD12 , 5J056DD29 , 5J056EE06 , 5J056FF09 , 5J056GG09 , 5J056KK02

引用特許：

出願人引用 (1件)

MOSFET回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-098859 出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (6件)

動的しきい値MOSトランジスタを用いたバッファ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-163440 出願人：三菱電機株式会社
半導体集積装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-287708 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-315298 出願人：三菱電機株式会社

全件表示

前のページに戻る