特許

J-GLOBAL ID：200903095105519237

半導体記憶装置

発明者： 高橋 浩司
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-355120
公開番号（公開出願番号）：特開2000-182382
出願日： 1998年12月14日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】不揮発性メモリ素子を備えた半導体記憶装置に関し、スループットを向上させ、高温加速試験を省略でき、保証温度や保証年月の範囲を広くすること。【解決手段】正孔又は電子が注入されるフローティングゲートを有する不揮発性メモリ素子20と、フローティングゲートを有するリテンション感度セル23又はフローティングゲートを有するチャージゲイン感度セル22と、前記リテンション感度セル23又はチャージゲイン感度セル22の前記フローティングゲートの電子量又は正孔を制御するための電子・正孔制御回路24,28とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成され且つ正孔又は電子が注入される第1のフローティングゲートを有する不揮発性メモリ素子と、前記半導体基板に形成され且つ電子が注入される第2のフローティングゲートを有するリテンション感度セルと、前記リテンション感度セルの前記第2のフローティングゲートの電子量を制御するための電子制御回路とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (7件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 29/00 673 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

G11C 17/00 614 ,  G11C 29/00 673 V ,  G11C 17/00 621 A ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (36件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD16 ,  5B025AE08 ,  5B025AE09 ,  5F001AA01 ,  5F001AB02 ,  5F001AB08 ,  5F001AC03 ,  5F001AD12 ,  5F001AF07 ,  5F001AG12 ,  5F001AG15 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP23 ,  5F083EP42 ,  5F083EP77 ,  5F083ER04 ,  5F083ER09 ,  5F083ER13 ,  5F083ER16 ,  5F083ER22 ,  5F083GA21 ,  5F083GA28 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR36 ,  5F083ZA20 ,  5L106AA10 ,  5L106CC36 ,  5L106DD31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-307866   出願人：日産自動車株式会社
• 不揮発性メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-295056   出願人：日本電気株式会社
• フラッシュメモリを混載するマイクロコンピュータのデータ書換え方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-133481   出願人：株式会社東芝