特許
J-GLOBAL ID:200903095148322038
ポジ型レジスト組成物
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小栗 昌平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-321128
公開番号(公開出願番号):特開2002-131897
出願日: 2000年10月20日
公開日(公表日): 2002年05月09日
要約:
【要約】【課題】 超微細加工が可能な短波長の露光光源及びポジ型化学増幅レジストを用いたリソグラフィー技術にあって、解像力が向上し、現像残査が低減し、露光マージンや焦点深度等のプロセス許容性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】 (A)活性光線の照射により特定のスルホン酸を発生する化合物を少なくとも1種(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)活性光線の照射により下記一般式(X)で表されるスルホン酸を発生する化合物を少なくとも1種(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(X)中、R1a〜R13aは、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、ハロゲン原子、水酸基を表す。Aは、ヘテロ原子を有する2価の連結基または単結合を表す。但し、Aが単結合の場合、R1a〜R13aの全てが同時にフッ素原子を表すことはなく、またR1a〜R13aの全てが同時に水素原子を表すことはない。mは0〜12の整数を表す。nは0〜12の整数を表す。qは1〜3の整数を表す。
IPC (12件):
G03F 7/004 503
, G03F 7/004 501
, C07C309/06
, C07C309/08
, C07C309/10
, C07C309/17
, C07C381/12
, C08K 5/00
, C08L101/02
, C09K 3/00
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
FI (12件):
G03F 7/004 503 A
, G03F 7/004 501
, C07C309/06
, C07C309/08
, C07C309/10
, C07C309/17
, C07C381/12
, C08K 5/00
, C08L101/02
, C09K 3/00 K
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
Fターム (27件):
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB41
, 2H025CB42
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 4H006AA01
, 4H006AB76
, 4J002BC04Y
, 4J002BC09Y
, 4J002BC12W
, 4J002BC12X
, 4J002BC12Y
, 4J002BG04X
, 4J002CC03Y
, 4J002EV236
, 4J002FD206
, 4J002GP03
引用特許: