特許
J-GLOBAL ID：200903067885563425
スルホニウム塩の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-266991
公開番号（公開出願番号）：特開2000-034274
出願日： 1998年09月21日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】 【課題】ポリマ重合時、光酸開始剤又はラジカル剤及び有機化合物の保護基を離脱させる光酸発生剤、特に半導体材料に用いられる化学増幅形フォトレジストにおいて、光酸発生剤として有用である新規なスルホニウム塩及びその製造方法を提供する。 【解決手段】グリニャール試薬を用いずに無水パーフルオロアルカンスルホン酸(perfluoroalkanesulfonec anhydride)を用いて1段階反応としてスルホキシド(sulfoxide)化合物と芳香族化合物を反応させることにより、下記一般式(化1、ただしRa,Rb及びRcはそれぞれ独立的にアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アリル基、芳香族基又はベンジル基で、nは0〜20の整数である)で表示されるスルホニウム塩を得る。【化1】
請求項（抜粋）：
下記一般式(化1)で表示されるスルホニウム塩。【化1】(ただし、Ra,Rb及びRcはそれぞれ独立的にアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アリル基、下記式(化2)、【化2】又はベンジル基で、R1〜R48は独立的に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アリル基、アリール基、ベンジル基、ヒドロキシ基、チオール基、ハロゲン原子、エステル基、アルデヒド基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、フェノキシ基、チオフェノキシ基又はニトリル基で、nは0〜20の整数である。)
IPC (3件)：
C07C381/12
, G03F 7/004 503
, G03F 7/029
C07C381/12
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/029
2H025BE00
, 2H025BJ10
, 4H006AA01
, 4H006AA02
, 4H006AA03
, 4H006AB40
, 4H006AB76
, 4H006AB92
, 4H006TN10
, 4H006TN30
, 4H006TN40
, 4H006TN60
, 4H006TN90
