特許
J-GLOBAL ID：200903095169366434
シリコンウェハ裏面のエッチング方法およびシリコンウェハの保護テープ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-106755
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305234
出願日： 2001年04月05日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウェハを十分な保持力で保持して不具合を防止することができるシリコンウェハ裏面のエッチング方法およびシリコンウェハの保護テープを提供することを目的とする。【解決手段】 シリコンウェハ7の回路形成面の裏面をプラズマエッチングにより除去するエッチング方法において、基材20aの一方側に粘着材20bによる粘着面が形成され、基材20aの他方側の表面に導電層20cが形成された保護テープ20を、シリコンウェハ7の回路形成面に貼着し、このシリコンウェハ7を保護テープ20をプラズマ処理装置の電極体5の絶縁層6に接触させて載置し、静電吸着により保持させる。これにより、絶縁層6に直接接触した状態の導電層20cと電極体5との間のクーロン力により、シリコンウェハ7を十分な保持力で密着性よく保持することができる。
請求項（抜粋）：
シリコンウェハの回路形成面の裏面をエッチングにより除去するシリコンウェハ裏面のエッチング方法であって、保護テープを前記シリコンウェハの回路形成面に粘着させて貼着するテープ貼着工程と、前記シリコンウェハを保護テープが載置部に接触する姿勢で載置する載置工程と、このシリコンウェハを載置部に保持させる保持工程と、保持されたシリコンウェハの裏面をエッチングするエッチング工程とを含み、前記保持工程において、前記保護テープの少なくとも前記シリコンウェハとは反対側の表面に形成された導電層を前記載置部に静電吸着させることを特徴とするシリコンウェハ裏面のエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, H01L 21/304 622
, H01L 21/3065
H01L 21/68 N
, H01L 21/68 R
, H01L 21/304 622 J
, H01L 21/302 C
5F004BA04
, 5F004BB22
, 5F004DA18
, 5F004DA22
, 5F004DB01
, 5F004FA08
, 5F031CA02
, 5F031DA05
, 5F031DA15
, 5F031HA16
, 5F031HA78
, 5F031MA24
, 5F031MA37
