不揮発性半導体記憶装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-016395
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213820
出願日： 1996年02月01日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜の薄膜化に優れ、電荷保持特性が優れていると同時に、書換え動作によるトンネル絶縁膜の信頼性の低下が少ない不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。【解決手段】化学気相成長法で形成した酸化シリコン膜を、一酸化窒素を含むガス中で熱処理し、酸化シリコン膜の一部を酸窒化シリコン膜とすることにより誘電率の大きい層間絶縁膜を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型を有する半導体基板にトンネル絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極上に少なくとも一部分が積層する形で層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極と、前記半導体基板内に互いに分離して設けられた第2導電型のソース,ドレイン領域を備えた電気的に書換え可能な不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、酸化シリコン膜を形成後一酸化窒素を含むガス中で加熱することにより酸窒化シリコン膜層を含む層間絶縁膜を持つことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/318 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , H01L 21/318 C , H01L 27/10 434

引用特許：

出願人引用 (4件)

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-241294 出願人：株式会社日立製作所
不揮発性メモリを内蔵するMOS型集積回路とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-027308 出願人：ソニー株式会社
特開平1-293631

全件表示

前のページに戻る