半導体記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-075904
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269463
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】酸素欠損や元素置換の導入を行うことなしに高い導電性が得られ、かつそれ自身の酸素との結合力が強い導電性ペロブスカイトを用いたキャパシタを備えた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】プラグ上部の酸化防止、耐水素アニール性の向上のため、薄膜キャパシタの下部(ストレージノード)電極3,4あるいは上部(プレート)電極6,7の少なくとも一方の電極として、SrVO3,LaCrO3等の酸素との結合が強い導電性ペロブスカイトを含む2種以上の導電性ペロブスカイト酸化物を積層した電極を用いる。

請求項（抜粋）：

酸化物誘電体を用いる薄膜キャパシタを備える半導体記憶装置において、薄膜キャパシタの少なくとも一方の電極として、ATMO3(Aはアルカリ土類あるいは希土類元素から選ばれた少なくとも一種、TMはV、Crから選ばれた少なくとも一種)を含む少なくとも2種類の導電性ペロブスカイト酸化物からなる積層膜を用いる事を特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 621 C , H01L 29/78 371

Fターム (24件)：

5F001AA17 , 5F001AD33 , 5F001AG30 , 5F001AG31 , 5F083AD31 , 5F083AD42 , 5F083AD43 , 5F083FR02 , 5F083GA02 , 5F083GA06 , 5F083GA21 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA18 , 5F083PR33 , 5F083PR39 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (3件)

シリコン上に集積された強誘電体キャパシタのための障壁層
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-504500 出願人：ベルコミュニケーションズリサーチ,インコーポレイテッド
配向制御した多層薄膜とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-172045 出願人：株式会社日立製作所
誘電体薄膜素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-242297 出願人：株式会社東芝

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