特許
J-GLOBAL ID：200903095201525183
配線基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-015681
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214860
出願日： 1997年01月29日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 接続用電極パッドの形成に研磨を必要としたり焼成時にタングステン(W)の熱拡散があってフリップチップ接続信頼性の高い配線基板が得られなかった。【解決手段】 一端が絶縁基板2の搭載部表面に導出されるメタライズ金属導体3と、搭載部表面に半導体素子7の端子電極8に対応して形成され、メタライズ金属導体3の一端に接続された表面メタライズ金属層4とを具備し、メタライズ金属導体3および表面メタライズ金属層4がWおよび/またはモリブデン(Mo)から成り、Mo含有率をメタライズ金属導体3中でX重量%、表面メタライズ金属層4中でY重量%としたときにX-20≦Y≦X+20、0≦X≦100 、0≦Y≦100 を満足する配線基板1である。研磨を不要としWの熱拡散を抑制して良好な接続用電極パッド6を形成でき、接続信頼性が高い。
請求項（抜粋）：
表面に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、該絶縁基板に形成された貫通孔に充填され、一端が前記絶縁基板の搭載部表面に導出されるメタライズ金属導体と、前記絶縁基板の搭載部表面に前記半導体素子の端子電極に対応して形成され、前記メタライズ金属導体の一端に接続された表面メタライズ金属層とを具備する配線基板において、前記メタライズ金属導体および表面メタライズ金属層がそれぞれタングステンおよび/またはモリブデンから成り、かつ、タングステンおよびモリブデンの合計含有量に対するモリブデン含有率を前記メタライズ金属導体中でX重量%、前記表面メタライズ金属層中でY重量%としたときに下記式を満足することを特徴とする配線基板。X-20≦Y≦X+20、0≦X≦100、0≦Y≦100ただし、(X=0,Y=0)および(X=100,Y=100)は除く。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, H05K 1/09
, H05K 1/18
H01L 21/60 311 S
, H05K 1/09 B
, H05K 1/18 L
