特許
J-GLOBAL ID：200903095265804094

ゲート絶縁膜の作製方法

発明者：
服部 望

服部 望 について

, 
村田 和俊

村田 和俊 について

, 
宮武 直正

宮武 直正 について


出願人/特許権者：
三井造船株式会社

三井造船株式会社 について


代理人 (2件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-208253
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032596
出願日： 2004年07月15日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】コストの上昇を招くことなく、より迅速に高品質のゲート絶縁膜が形成できるようにする。【解決手段】シリコン原料ガス121の供給→パージ→酸素原料ガス122の供給→パージの周期を繰り返す原子層成長法で酸化シリコン層154を形成した後、シリコン原料ガス121と酸素原料ガス122とが混合された混合ガスが酸化シリコン層154の上に供給された状態とし、例えば、全体として55nm程度と、ゲート電圧に耐えられる膜厚の酸化シリコンからなる絶縁層を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応容器の内部に配置されて所定温度に加熱された基板の上に、第1物質の化合物から構成された第1原料ガスを供給して前記第1物質の化合物が前記基板の上に吸着した吸着層が形成された状態とする第1工程と、 前記第1原料ガスの供給を停止した後、前記反応容器の内部より前記第1原料ガスを除去する第2工程と、 酸素及び窒素のうち少なくとも1つからなる第2物質を含む第2原料ガスを前記吸着層の表面に供給して前記吸着層の前記第1物質と前記第2物質との化合物からなる第1絶縁層が前記基板の上に形成された状態とする第3工程と、 前記第1原料ガスと前記第2原料ガスとを前記第1絶縁層の表面に供給し、前記第1物質と前記第2物質との化合物からなる第2絶縁層が前記第1絶縁層の表面に形成された状態とする第4工程と を少なくとも備え、 前記第1絶縁層と前記第2絶縁層とから構成されたゲート絶縁膜が前記基板の上に形成された状態とする ことを特徴とするゲート絶縁膜の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (5件)：
H01L29/78 617V ,  H01L21/316 C ,  H01L21/318 B ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T
Fターム (35件)：
5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF31 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC06 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF06 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 特開平1-179423号公報
  • 薄膜トランジスタの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-320816   出願人：富士通株式会社
  • 酸化物薄膜の成長方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-315409   出願人：エイエスエムマイクロケミストリオーワイ
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審査官引用 (2件)

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