特許
J-GLOBAL ID：200903095276766780
高解像度パターンの形成方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-341982
公開番号（公開出願番号）：特開2007-296509
出願日： 2006年12月19日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
【課題】 機能性インクMの消費を抑えつつ、高アスペクト比を有する高解像度パターンを効率よく形成する方法を提供する。【解決手段】 ドライフィルムレジスト30を基板10上に部分又は全面的に付着させた後、レーザ等の集束可能なエネルギービームを直接照射するか、マスク又は回折光学素子を介して特定波長帯の光を投射して露光した後、現像によりパターン状凹部40を有するパターン鋳型30’を形成し、機能性インクMをパターン状凹部40に充填し、乾燥後、パターン鋳型30’を除去することにより高解像度パターンを形成する方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上にドライフィルムレジストを付着させる工程(S1)と、前記ドライフィルムレジストに露光及び現像を行って所望のパターン状凹部を有するパターン鋳型を形成する工程(S2)と、前記パターン状凹部に機能性材料を含有するインクを充填する工程(S3)と、前記インクを乾燥させる工程(S4)とを含む高解像度パターンの形成方法であって、前記ドライフィルムレジストの厚さ(μm)を100×β/α以上[ただしαは前記インク中の前記機能性材料の体積分率(体積%)であり、βは前記高解像度パターンの厚さ(μm)である。]とすることを特徴とする高解像度パターンの形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (30件)：
2H096AA25
, 2H096AA26
, 2H096AA27
, 2H096JA04
, 2H096LA01
, 4D075AC02
, 4D075AC21
, 4D075AC45
, 4D075AC64
, 4D075AC92
, 4D075AD02
, 4D075AE03
, 4D075BB24Z
, 4D075BB41Z
, 4D075BB47Z
, 4D075BB85X
, 4D075BB92Z
, 4D075CB21
, 4D075DA06
, 4D075DC21
, 4D075DC24
, 4D075EA33
, 4D075EA45
, 5E343AA22
, 5E343BB24
, 5E343BB28
, 5E343BB72
, 5E343CC63
, 5E343ER18
, 5E343GG08
