光半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-034414
公開番号（公開出願番号）：特開平9-214026
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】光半導体装置のしきい値を低減し、且つ、その高温動作特性を向上させる。【解決手段】レーザ活性層3を有する活性領域20と、非活性MFC層を有する非活性領域21とが基板1の主面に沿って順次に形成されたメサストライプ22を有する光半導体装置の構造において、メサストライプ22の埋込み層7、8を形成する際に、活性領域20では、埋込み層7、8がメサストライプ22の側部のみに、非活性領域21では、メサストライプ22の側部に加えて、その上面にも形成される。埋込み層7、8を含む半導体積層がp-n-p-n接合の電流阻止構造を形成するので、非活性領域21では、MFC層に電流が流れることが防止され、レーザとしての電流効率が向上し、そのしきい値が低減する。

請求項（抜粋）：

メサストライプを構成するレーザ活性層及び非活性導波路層が基板の主面に沿って順次に形成された光半導体装置において、前記メサストライプの側面に形成される埋込み成長層が、前記非活性導波路層の上面を覆い、該非活性導波路層を流れる電流を阻止する電流阻止構造の一部を構成することを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 3/093 , H01L 21/203 , H01S 3/18

FI (3件)：

H01S 3/093 , H01L 21/203 M , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (5件)

光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-165145 出願人：富士通株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-130308 出願人：三洋電機株式会社
半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-009027 出願人：日本電気株式会社

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