特許
J-GLOBAL ID：200903095333657321
複合半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-039649
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228904
出願日： 2005年02月16日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】 発光素子と保護素子との複合半導体装置の小型化を図ることが困難であった。【解決手段】 複合半導体装置は発光素子部(1)と保護素子部(2)とを有する。発光素子部(1)はp型半導体基板(3)と発光半導体領域(7)と第1及び第2の電極(8)、(9)とから成る。保護素子部(2)はp型半導体基板(3)の外周部分と発光半導体領域(7)の側面(17)上に絶縁膜(10)を介して配置されたn型半導体薄膜(11)とから成る。n型半導体薄膜(11)はp型半導体基板(3)にpn接触して保護ダイオードを形成している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体発光素子部とこの半導体発光素子部を過電圧から保護するための保護素子部とを含む複合半導体装置であって、
前記半導体発光素子部は、一方の主面と他方の主面とを有し且つ導電性を有している基板と、互いに対向する第1及び第2の主面と前記第1の主面から前記第2の主面に至る側面とを有し且つ前記第2の主面が前記基板の一方の主面に電気的及び機械的に結合されている発光半導体領域と、前記発光半導体領域の前記第1の主面に配置された第1の電極と、前記基板に接続された第2の電極とを備え、
前記保護素子部は、前記発光半導体領域の側面、又は前記基板の延長部分、又は前記発光半導体領域の側面と前記基板の延長部分との両方に設けられていることを特徴とする複合半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 27/15
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L33/00 C
, H01L27/15 A
, H01L27/04 H
5F038BH05
, 5F038BH15
, 5F038DF01
, 5F038EZ20
, 5F041AA21
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA88
, 5F041CB33
