特許

J-GLOBAL ID：200903095335807797

半導体装置

発明者： 中 島 昭 ,  小 松 通 郎 ,  江 上 美 紀
出願人/特許権者： 触媒化成工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-288652
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134917
出願日： 1995年11月07日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【解決手段】 回路が設けられた半導体基板と、この上に設けられた金属配線層を、この金属配線層を含む半導体基板上に形成された下層シリカ系絶縁膜と、この下層シリカ系絶縁膜上にポリシラザンを含む平坦化膜形成用塗布液を用いて形成された平坦化用シリカ系絶縁膜と、必要に応じてこの平坦化用シリカ系絶縁膜上に形成された上層シリカ系絶縁膜とを含む半導体装置において、下層シリカ系絶縁膜の圧縮ストレスが-1×109dyne/cm2以下であり、かつ上層シリカ系絶縁膜の圧縮ストレスが-1×109dyne/cm2以下であり、平坦化膜形成用塗布液中に含まれるポリシラザンが下記一般式[I]で示される繰り返し単位を有することを特徴とする半導体装置。【効果】 多層半導体装置の金属配線層上に設けられる平坦化用シリカ系絶縁膜の残留ストレスを下層シリカ絶縁膜および上層シリカ系絶縁膜によってコントロールすることによって、シリカ系絶縁膜にクラックが発生することを防止できる。【化1】(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ独立して、水素または炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシ基またはアリール基である。)

請求項（抜粋）：

回路が設けられた半導体基板と、この上に設けられた金属配線層と、この金属配線層を含む半導体基板上に形成された下層シリカ系絶縁膜と、この下層シリカ系絶縁膜上にポリシラザンを含む平坦化膜形成用塗布液を用いて形成された平坦化用シリカ系絶縁膜とを含む半導体装置において、下層シリカ系絶縁膜の圧縮ストレスが-1×109dyne/cm2以下であり、平坦化膜形成用塗布液中に含まれるポリシラザンが下記一般式[I]で示される繰り返し単位を有することを特徴とする半導体装置。【化1】(式中、R1、R2およびR3は、それぞれ独立して、水素または炭素数1〜8のアルキル基、アルコキシ基またはアリール基である。)

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 C ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-273282   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置における絶縁層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-253264   出願人：日本プレシジョン・サーキッツ株式会社
• 非晶質半導体形成基板並びにこれを用いた多結晶半導体形成基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-105003   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置用絶縁膜の堆積方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-015028   出願人：富士電機株式会社