特許
J-GLOBAL ID：200903095347514930
半導体ウェーハのリンス方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-039878
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243736
出願日： 1999年02月18日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 アルカリエッチング後のリンスで使用する超純水量を低減し、コスト面での大幅な改善を図る。リンスに要する時間を短縮する。【解決手段】 クエン酸とクエン酸三カリウムとの混合液(モル比1:1)の液槽にアルカリエッチング直後のシリコンウェーハを1分間浸漬する。そして、このシリコンウェーハを超純水の流水槽に2分間浸漬し、例えばオーバフローリンスする。リンスされたシリコンウェーハは、乾燥後、裏面ゲッタリング処理工程などに供される。緩衝作用を持つ溶液にシリコンウェーハを浸漬させると、その後シリコンウェーハを超純水に浸漬させても、その超純水をほぼ一定の水素イオン濃度に保つことができる。pH値が一定に保たれる結果、QDRでは超純水使用量が削減される。ORではリンス時間が短縮される。
請求項（抜粋）：
アルカリ液によるエッチングが施された半導体ウェーハをリンスする半導体ウェーハのリンス方法であって、弱酸とその塩との混合液を用いてアルカリエッチング直後の半導体ウェーハをリンスし、その後、この半導体ウェーハを超純水を用いてリンスする半導体ウェーハのリンス方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 647
, H01L 21/304 651
H01L 21/304 647 A
, H01L 21/304 651 J
