特許
J-GLOBAL ID：200903095362437519

非単結晶太陽電池

発明者：
佐々木 敏明

佐々木 敏明 について

, 
藤掛 伸二

藤掛 伸二 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-068436
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269528
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】非単結晶薄膜を用いたpin太陽電池において、光照射後の効率の向上を図る。【解決手段】光照射前の開放電圧が、光照射前の開放電圧の極大値に対して、0.85〜0.99倍になるように、p型半導体の膜厚を設定する。光照射前の開放電圧の極大値に対して、0.85〜0.99倍になるように、p型半導体のアクセプタ不純物濃度を設定しても良い。光照射の条件としては、1SUN で10時間以上、または(光強度[SUN])2 ×(時間[h ])を10以上とする。
請求項（抜粋）：
非単結晶薄膜からなるp型半導体層、実質的に真性なi型半導体層、n型半導体層を積層したpin接合を少なくとも一つ有する非単結晶太陽電池において、非単結晶太陽電池の光照射前の開放電圧が、光照射前の開放電圧の最大値の0.85〜0.99倍になるように前記p型半導体を設定し、光照射をおこなうことを特徴とする非単結晶太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 V ,  H01L 31/04 X
Fターム (8件)：
5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA17 ,  5F051CA05 ,  5F051CA32 ,  5F051DA04 ,  5F051GA03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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