半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223996
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037083
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】低抵抗のシリサイド層を高い歩留りで安定して形成することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板10のシリコン露出面に金属膜24を形成する工程と、金属膜24の上に第1の高融点金属窒化膜26を形成する工程と、第1の高融点金属窒化膜26の上に高融点金属膜28を形成する工程と、第1の熱処理をすることにより、シリコン露出面を通してシリコンと金属膜24とを反応させて金属シリサイド層32を形成する工程と、高融点金属膜28と第1の高融点金属窒化膜26と未反応の前記金属膜24とを除去する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板のシリコン露出面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜の上に第1の高融点金属窒化膜を形成する工程と、前記第1の高融点金属窒化膜の上に高融点金属膜を形成する工程と、第1の熱処理を行うことにより、前記シリコン露出面を通して該シリコンと前記金属膜とを反応させて金属シリサイド層を形成する工程と、前記高融点金属膜と前記第1の高融点金属窒化膜と未反応の前記金属膜とを除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/336 , H01L 21/768 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/28 301 S , H01L 21/90 D , H01L 29/78 301 P

Fターム (90件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB25 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD23 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD55 , 4M104DD64 , 4M104DD66 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104HH05 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F033HH03 , 5F033HH04 , 5F033HH05 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH30 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033KK30 , 5F033LL04 , 5F033MM07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ58 , 5F033QQ59 , 5F033QQ65 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033SS11 , 5F033TT08 , 5F033XX10 , 5F033XX19 , 5F033XX20 , 5F033XX28 , 5F140AA10 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG35 , 5F140BG38 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK26 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK35 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-059377 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-137064 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-165353 出願人：ソニー株式会社

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