特許
J-GLOBAL ID:200903095370821514

蛍光体及び表示管

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西村 教光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-082951
公開番号(公開出願番号):特開平10-279933
出願日: 1997年04月01日
公開日(公表日): 1998年10月20日
要約:
【要約】【課題】表示管用蛍光体の表面においてガスの放出吸着・脱離等の活性度を低下させ、蛍光体の表面を保護する。【解決手段】基板のITO 電極上にSrTiO3:Pr 蛍光体を設けた陽極基板を作製した。この蛍光体の表面にCVD 法でSiN 薄膜層を形成した。これを電界放出陰極(Field Emission Cathode)が形成された基板と組み合わせてFED(Field Emission Display) を形成し、点灯して寿命評価を行った。点灯1000時間において、コートなしの試料とSiO2コートの試料は相対輝度が当初の40〜50% に落ちたが、本例は85% 以上を維持した。SiN 薄膜に被覆された本発明の蛍光体は、蛍光体自体の表面におけるガスの吸着・脱離等の活性度が低くなり、蛍光体の表面が外界の雰囲気から保護され、寿命が改善される。FEC の劣化も防止され、表示素子の寿命が改善される。
請求項(抜粋):
SiO2 を除くSiを含む物質からなる膜を被覆した蛍光体。
IPC (5件):
C09K 11/08 ,  C09K 11/55 CPB ,  H01J 29/20 ,  H01J 31/12 ,  H01J 31/15
FI (5件):
C09K 11/08 G ,  C09K 11/55 CPB ,  H01J 29/20 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 31/15 E
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 蛍光体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-110785   出願人:双葉電子工業株式会社
  • 分散型EL用蛍光体の被覆処理方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-325321   出願人:関西日本電気株式会社
  • 被覆蛍光体の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-356790   出願人:三菱電線工業株式会社
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