半導体装置、相補型半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077055
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359370
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】高誘電体ゲート絶縁膜を有する超高速半導体装置において、高誘電体ゲート絶縁膜を介したゲート電極からSi基板への不純物元素の拡散や、高誘電体ゲート絶縁膜からSi基板あるいはゲート電極への金属元素や酸素の拡散を抑制する。【解決手段】高誘電体ゲート絶縁膜を原子層の積層により形成する際、Si基板表面を酸素原子層により一様に覆い、その上に高誘電体膜を、高誘電体膜の上下が窒素原子層により一様に覆われた状態で形成する。

請求項（抜粋）：

Si結晶層よりなるチャネル領域と、前記チャネル領域上に形成され、前記Si結晶層上に形成されたSiO層と、前記SiO層上に形成された第1のSiN層と、前記第1のSiN層上に形成された、高誘電体金属酸化物層と、前記高誘電体金属酸化物層上に形成された第2のSiN層とを含むゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とよりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8234 , H01L 21/8238 , H01L 27/088 , H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D , H01L 27/08 102 C

Fターム (63件)：

5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BB03 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BC06 , 5F048BF06 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F140AA01 , 5F140AA06 , 5F140AA24 , 5F140AA28 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD00 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BD20 , 5F140BE01 , 5F140BE03 , 5F140BE09 , 5F140BE16 , 5F140BE19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG34 , 5F140BG46 , 5F140BH15 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK25 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC08 , 5F140CC12 , 5F140CE07 , 5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-110642
Si(111)上にゲ-ト誘電体用の極薄結晶質シリコン窒化物を生成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-074728 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-199590 出願人：株式会社東芝

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