特許
J-GLOBAL ID：200903095452327933

半導体ウエハのパターン露光方法およびパターン露光装置

発明者：
有働 祐宗

有働 祐宗 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187029
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015420
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】スキャン型ステッパー装置を用いて半導体ウエハに対して回路パターンの露光を行う際、ウエハ加工上避けられないウエハ外周部分の“ダレ”の影響によるパターンぼけの発生を最小限にする。【解決手段】半導体ウエハ1 の露光単位領域を順次移動させながら回路パターンの露光を行う際に露光単位領域におけるウエハの厚みムラによる表面凹凸が露光焦点面において最小になるようにウエハを傾けて露光を行う方法において、露光単位領域内で有効となる素子領域で表面凹凸が露光焦点面において最小となるようにウエハを傾けて露光焦点面を設定する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの露光単位領域を順次移動させながら回路パターンの露光を行う際に露光単位領域における半導体ウエハの厚みムラによる表面凹凸が露光焦点面において最小になるように半導体ウエハを傾けて露光を行う半導体ウエハのパターン露光方法において、前記露光単位領域内で有効となる素子領域で前記表面凹凸が露光焦点面において最小となるように半導体ウエハを傾けて露光焦点面を設定することを特徴とする半導体ウエハのパターン露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 9/02
FI (3件)：
H01L 21/30 518 ,  G03F 9/02 H ,  H01L 21/30 526 Z
Fターム (5件)：
5F046BA05 ,  5F046CC01 ,  5F046DA05 ,  5F046DA14 ,  5F046DB05
引用特許：
審査官引用 (3件)

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