特許
J-GLOBAL ID：200903095454055116

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
渡辺 淳

渡辺 淳 について

, 
原田 裕次

原田 裕次 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-375504
公開番号（公開出願番号）：特開2001-233917
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2001年08月28日
要約：
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される、主鎖がフッ素化されたアクリル誘導体を繰り返し単位として含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中R1,R2,R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1,R2,R3の少なくとも1つにフッ素原子を含む。R4は酸不安定基である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される、主鎖がフッ素化されたアクリル誘導体を繰り返し単位として含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1,R2,R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1,R2,R3の少なくとも1つにフッ素原子を含む。R4は酸不安定基である。)
IPC (5件)：
C08F 20/22 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/16 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
C08F 20/22 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/16 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許：
審査官引用 (4件)
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